电磁炉电脑板上热敏电阻 电磁炉电脑板多少钱一个

一、电磁炉盘上热敏电阻一般多大

1、电磁炉是家中常见的电器，生活中电磁炉来煮东西也是再正常不过的事了。下面小编为大家介绍电磁炉盘上热敏电阻一般多大？如何判别热敏电阻大小？电磁炉盘上热敏电阻一般多大、如何判别电磁炉内的线盘上测温电阻是一个负温度系数热敏电阻，在25摄氏度时阻值为100K，温度越高，阻值会越小。热敏电阻一般用硅胶包裹，在上面涂导热硅脂来使用。

2、热敏电阻有很多类型，作为测温使用的一般有玻封型、环氧树脂型、小头径漆包线型等，作为电磁炉的测温元器件，一般采用采用玻封型外加其他配件构成热敏电阻组件，负温度系数的热敏电阻，也就是NTC热敏电阻，常温下阻值约为100k左右，也有10K、50K等规格，但是100K使用的比较多，误差多在1%或2%左右，NTC热敏电阻随着温度升高阻值减小。在实际使用时候，热敏电阻与陶瓷板紧贴，同时在接触处涂导热硅脂，目的为了提高控制灵敏度。

3、电磁炉测温一般采用A/D口检测，现在很多的芯片都有A/D采用检测功能，NTC热敏电阻与另一个电阻串联，利用电阻分压原理，读取AD值，最终与分压得到的值比较判断当前温度，电磁炉的热敏电阻不仅起到测温作用，同时也起到保障安全的作用，当温度达到一定值时，电路自动断开输出，一般的厂商在热敏电阻发生异常（例如发生短路或者发生开路）时候会显示相应的错误代码，这为了在维修检测时候很方便的找出原因。

4、电磁炉盘上热敏电阻属半导体结构，是非线性半导体器件，其阻值非定值。如果用指针式万用表Rx1K档测其阻值，正反测其阻值均在100千欧偏多（粗略值），不同的仪表测得的数值可能会有不同。

二、电磁炉热敏电阻坏是什现象

热敏电阻可以用来检测锅的温度，防止锅干枯，控制锅内食物的温度。当热敏电阻损坏时，电磁炉将停止电源输出（不加热）并显示故障代码。不同品牌的电磁炉显示不同的代码。当炉面温度过高时，热敏电阻检测，并将信号反馈给单片机执行保护动作。该电阻的阻值为100K，具有负温度系数，即温度越高，阻值越低。电磁炉热敏电阻坏的解决方案有：1.一般情况下，热敏电阻不太可能坏，一旦损坏，玻璃管就会破裂。最好有原理图，按原模型替换，没有原理图，如果不知道阻值，可以先尝试更换25℃的10K热敏电阻，然后烧开水试机，如果电磁炉在烧开一大锅水后都没有异常的话，则说明更换正确，否则继续更换25℃ 100K电阻值，直至试机正常。2、热敏电阻长时间不活动。当温度以及电流在c区时，散热功率接近加热功率，因此它可能会或可能不会工作。当环境温度相同时，热敏电阻的工作时间随着电流的增加而急剧下降。当环境温度较高时，热敏电阻的工作时间较短，维持电流和工作电流较小。

三、电磁炉线圈中间的热敏电阻坏了会是什么故障

1、当这个热敏电阻损坏时，电磁炉会停止功率输出（不加热），并显示故障代码。各个品牌的电磁炉显示的代码不一样，如九阳电磁炉显示E5或者E6，美的电磁炉显示E3，奔腾电磁炉显示E2。炉面温度过高的时候，是靠此热敏电阻来检测然后信号回馈给单片机执行保护动作。

2、此电阻阻值是100K，负温度系数，也就是说温度越高，阻值越低。用电阻代替不行的，因为如果阻值一直不变化，单片机会认为此时热敏电阻位置偏移、开路等等，一样会保护的。

3、热敏电阻将长期处于不动作状态；当环境温度和电流处于c区时，热敏电阻的散热功率与发热功率接近，因而可能动作也可能不动作。热敏电阻在环境温度相同时，动作时间随着电流的增加而急剧缩短；热敏电阻在环境温度相对较高时具有更短的动作时间和较小的维持电流及动作电流。

4、PTC效应是一种材料具有PTC(positive temperature coefficient)效应，即正温度系数效应，仅指此材料的电阻会随温度的升高而增加。如大多数金属材料都具有PTC效应。在这些材料中，PTC效应表现为电阻随温度增加而线性增加，这就是通常所说的线性PTC效应。

四、电磁炉中IGBT上的热敏电阻阻值是多少为正常

1、常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。

2、热敏电阻一般采用负温度系数（NTC），且每种温度采集方式也都各自有优缺点，温度检测常用有压环式热敏电阻测温、插件式热敏电阻测温和贴片式热敏电阻测温。

3、插件式热敏电阻测温的NTC是直接焊在PCB上，通常采用玻璃封装的插件NTC，NTC装在一个小硅胶壳里面，硅胶壳里再填上导热硅脂。

4、IGBT倒在热敏电阻上面，装配时会受到不同程度的应力，硅胶壳就起缓冲的作用，而且装配有可能IGBT与热敏电阻的接触会产生空隙，影响传热效果，所以就需要添加导热硅脂。

5、IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

6、虽然MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。