笔记本电脑主板常见场效应管类型及好坏判断和代换方法基础入门教程
场效应管是场效应晶体管的简称,场效应管和三极管一样,都能实现信号的控制和放大,一般在电路中做电子开关使用,但由于它们的构造和工作原理的截然不同,因此两者差别很大。
笔记本电脑主板中常见的场效应管:
目前笔记本电脑主板中应用最广泛的是绝缘栅型场效应管,英文缩写为“MOSFET”,因此,也有人叫做MOS管。场效应管和普通三极管一样,也是有3只引脚,不过工作原理却完全不同,三极管是电流控制性元件,而场效应管是电压控制性元件。场效应管的控制脚称为闸极或者栅极(G极),它相当于一个水库的闸门,起控制作用。而水库的上方可以提供水,对应的场效应管的引脚为源极(S极);水库下方是水的出口,对应到场效应管的漏极(D极)。
场效应管与三极管3个电极的对应关系是: G极对应B极, S极对应E极, D极对应C极。
笔记本电脑主板中的场效应管,按照极性又分为P沟道和N沟道两种, P沟道和N沟道场效应管的工作原理是完全一样的,只是供电电压的极性不同, N沟道场效应管是G极高电平导通, P沟道场效应管是G极低电平导通,这和NPN与PNP型三极管的特性是一样的。其中三极管箭头向里的是PNP型,箭头向外的是NPN型,而场效应管正好相反,箭头向里的是N沟道,肩头向外的是P沟道,它们的对应关系如图所示。
单沟道场效应管的原理及好坏判断:
笔记本电脑主板中的场效应管一般是8脚贴片封装,其内部原理如图所示,这里面可以封装一个场效应管,也可以封装两个场效应管,当封装一个场效应管时,我们就称之为单沟道场效应管。一般情况下,有点的一面是第1脚,然后逆时针数,共8个引脚,单沟道的场效应管,通常1、2、3引脚在电路上是连在一起的,做场效应管的S极, 4引脚是个单独的引脚,做场效应管的G极, 5、6、7、8引脚是连在一起的,做场效应管的D极。用万用表的二极管挡分别测量G、D、S之间的6次阻值,如果有一次有阻值,那么这个场效应管就是好的,在有阻值的那个时刻,如果红表笔连接的是D,黑表笔连接的是S,则说明这个场效应管是P沟道,反之是N沟道。
复合场效应管的原理及好坏判断:
复合场效应管,指的是这8个引脚的管子内部是有两个场效应管按照一定的规则组成而成,常见的这类复合场效应管如图所示,可以根据它们的内部组合得知各引脚定义,在实际维修中,遇到这类复合的场效应管,要查一下它们的内部图。
在笔记本电脑主板中,还有6个引脚的场效应管,如图2-19所示。尽管场效应管内部排列各有不同,但是我们只要掌握了它的G、D、S以及极性的辨别,都可以轻松识别它们。
在笔记本电脑主板维修中,场效应管的损坏是常有的事,代换的时候只要保证极型和引脚定义一致,基本就可以代换,这里需要说明的是,有些场效应管(特别是复合场效应管),通过测盘无法判断其极性和引脚定义的时候,就必需查询它的定义书加以判断。在代换中,最好找相应功能电路中的场效应管去代换。比如CPU供电部分的场效应管损坏,最好找其他主板也是CPU供电部分的场效应管去代换,这样可以增加成功率。
场效应晶体管(FET)是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
1.场效应管的工作原理及应用领域
场效应管是一种电子器件,利用电场控制电流流动的特性而得名。它由源极、栅极和漏极组成,在不同的电压下,通过改变栅极电场强弱来调节漏极电流。场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等优点,被广泛应用于放大电路的设计、数字逻辑电路和功率放大器等方面。在通信、音频和射频领域中,场效应管也扮演着重要的角色,有助于提高设备性能和提升信号质量。
相对于双极型晶体管,场效应管具有许多独特的优势。首先,场效应管的输入电阻较高,可以减少对信号源的负载影响,保持输入信号的稳定性。其次,由于场效应管的输出电阻较低,可以更好地适应不同负载情况,提供更强的驱动能力。此外,场效应管在开关应用方面也表现出色,操作速度快、能耗低,适用于高频率和高速数字电路。
随着电子技术的不断发展,场效应管也在持续改进和创新。从MOS场效应管到JFET和IGBT,不断有新型场效应管问世。改进主要集中在降低功耗、提高工作频率、增加集成度和提升可靠性等方面。另外,随着新兴技术如射频通信、无线充电和电动车辆的兴起,场效应管在这些领域的应用也将更加广泛。未来,场效应管有望继续发挥重要作用,推动电子技术的发展和创新。
1、现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a.
2、场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.
3、在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.
4、绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当 Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.
5、耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻).
6、结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代
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